主題詞:三星 40納米級存儲芯片

三星全球推出40納米級存儲芯片

2010-04-06 中投機械網
 

  中國投資咨詢網訊 世界著名存儲芯片企業三星電子在全球率先推出40納米級32GB DRAM(動態隨機存取記憶體)模塊,并計劃從4月開始生產該產品。

  40納米(10億分之1米)工藝是指將芯片內部電路的線幅縮小為40納米。芯片電路線幅越薄,芯片的集成度和生產效率就越高。

  三星電子在2009年3月實現了50納米級16GB DRAM模塊的批量生產,而僅隔一年就把容量提高兩倍,芯片生產效率則提高了60%。最近,高性能服務器要求將存儲器容量提高至GB的1000倍,即TB(千千兆)級以上,因此預計40納米級32GB DRAM的用途將非常大。搭載該半導體的服務器(中型計算機)以及臺式、本式個人電腦將比之前產品的主存儲量增加一倍。

  三星電子副社長金東守稱:“由于使用超節電技術,這次推出的40納米級32GB DRAM模塊的主存儲量增加,耗電量降低,為需要大容量存儲器的服務器以及個人電腦提供了高性能、低電力的存儲解決方案,這點非常有意義。” 比如,使用96GB容量動態存儲的服務器,搭載40納米級4GBDDR3動態內存的產品要比40納米級2GBDDR3動態內存模型的耗電量最多可減少35%。三星電子計劃在上半年內將把在服務器和個人電腦用動態內存中的40納米級DDR動態內存供應比率提高到90%以上。

  三星電子芯片項目部存儲器業務總經理趙秀仁表示:“2010年將量產40納米級32GB DRAM模塊,同時,三星電子已開發了與40納米級相比更先進的30納米級生產工程技術,下半年將推出30納米級產品,繼續搶占市場。”

 
 
 
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